Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT2N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 2A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT2N300P3

IXTT2N300P3HV Hakkında

IXTT2N300P3HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 3000V drain-source gerilimi ve 2A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-268 paketinde sunulan bu bileşen, 21Ohm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 155°C arasında çalışabilen IXTT2N300P3HV, endüstriyel konvertörler, enerji yönetim sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. 520W maksimum güç dağıtım kapasitesi sayesinde zorlu uygulamalarda çalışmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 3000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-268HV (IXTT)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok