Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT2N170D2
IXTT2N170D2 Hakkında
IXTT2N170D2, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 1700V drain-source voltaj değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 2A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-268-3 (D³Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 6.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile uygun iletim direnci karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 568W maksimum güç dağıtma yeteneği ile güç dönüştürme, yüksek voltaj anahtarlama ve koruma devrelerine uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 568W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5Ohm @ 1A, 0V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok