Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT1N450HV

MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV Hakkında

IXTT1N450HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 4500V Drain-Source gerilim dayanımına ve 1A sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 85Ω maksimum RdsOn değeri ile karakterizedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevleri için tasarlanmıştır. ±20V gate gerilimi kapasitesi ve 40nC gate yükü, dikkatli sürücü tasarımı gerektiren hassas anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel güç dönüştürme, yüksek voltaj anahtarlaması ve offline güç kaynağı tasarımlarında yer bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 4500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85Ohm @ 50mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok