Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT1N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 1A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT1N300P3

IXTT1N300P3HV Hakkında

IXTT1N300P3HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 3000V drain-source voltaj derecesi ile güç anahtarlama ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1A sürekli drain akımı, 50Ω maksimum RDS(on) değeri ve TO-268-3 yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve enerji dönüştürme uygulamalarında güvenilir anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 3000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 895 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268HV (IXTT)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok