Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT1N100
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT1N100
IXTT1N100 Hakkında
IXTT1N100, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve yüksek gerilim kontrol uygulamalarında tercih edilir. 11Ω maksimum on-resistance (10V, 1A koşullarında) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlarda kullanılabilir. Maksimum 60W güç dağıtımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok