Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT170N10P-TR

MOSFET N-CH 100V 170A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT170N10P

IXTT170N10P-TR Hakkında

IXTT170N10P-TR, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 170A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 9mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-268 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 85A, 10V
Supplier Device Package TO-268
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok