Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT170N10P

MOSFET N-CH 100V 170A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT170N10P

IXTT170N10P Hakkında

IXTT170N10P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 170A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 9mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok