Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT12N150

MOSFET N-CH 1500V 12A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT12N150

IXTT12N150 Hakkında

IXTT12N150, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1500V drain-source voltaj değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj inverter uygulamalarında yer alır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 2Ω maksimum drain-source direnci ve 106 nC gate yükü değerleri ile kontrol devrelerinin tasarımında kullanılır. İndüstriyel güç elektronikleri, enerji yönetimi ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok