Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT11P50
IXTT11P50 Hakkında
IXTT11P50, Littelfuse tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı özelliğine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-268-3 (D³Pak) kasa tipinde üretilen komponent, güç dağıtma kapasitesi maksimum 300W olup, geniş işletme sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. RDS(on) değeri 750mOhm (10V, 5.5A koşullarında) ile verimli iletim sağlar. Anahtarlama devreleri, power management sistemleri ve yüksek gerilim dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 130nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok