Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT110N10P

IXTT110N10P Hakkında

IXTT110N10P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source voltaj ile 110A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, 15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen cihaz, 480W maksimum güç yayılması yapabilir. Gate şarjı 110nC ve 3550pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Yüksek akım endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok