Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT10P50
MOSFET P-CH 500V 10A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT10P50
IXTT10P50 Hakkında
IXTT10P50, Littelfuse tarafından üretilen 500V/10A P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevi üstlenir. 900mΩ (10V, 5A koşullarında) RDS(on) değeri ve 300W maksimum güç tüketim kapasitesi ile güç yönetimi devrelerinde, invertör uygulamalarında ve yüksek gerilim anahtar tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 160nC, input capacitance ise 4700pF'dir. Surface mount montaj türü ile endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok