Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT10N100D2
IXTT10N100D2 Hakkında
IXTT10N100D2, Littelfuse tarafından üretilen 1000V yüksek voltaj N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bileşen, güç amplifikatörleri, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yer alır. 1,5Ω maksimum on-direnci (10V gate voltajında) ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5320 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 695W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok