Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT10N100D
IXTT10N100D Hakkında
IXTT10N100D, Littelfuse tarafından üretilen 1000V yüksek voltaj N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. TO-268-3 (D³Pak) paket içinde sunulan bu transistör, 10A sürekli dren akımı ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 130 nC gate charge ve 2500 pF input kapasitans özellikleriyle hızlı komütasyon gerekli devrelere uygundur. Maksimum 400W güç tüketim kapasitesi, geniş -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışma özelliği bulunmaktadır. Yüksek voltaj koruma, motor kontrol, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok