Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTQ26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTQ26N60P
IXTQ26N60P Hakkında
IXTQ26N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket tipi ile Through Hole montajını destekler. 270mOhm (10V, 500mA) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli kontrol sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 460W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok