Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTQ26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTQ26N50P
IXTQ26N50P Hakkında
IXTQ26N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 26A sürekli drain akımı (Id) özellikleriyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket formatında gelen bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 230mOhm'luk düşük açık direnç (Rds On) sağlar. Gate yükü 65nC ve giriş kapasitesi 3600pF'dir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında 400W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrolü, şarj devreleri ve industrial switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok