Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTQ170N10P
IXTQ170N10P Hakkında
IXTQ170N10P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 170A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 9mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan transistör, motorlar, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 198nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 198 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 715W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok