Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP8N65X2M

MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP8N65X2

IXTP8N65X2M Hakkında

IXTP8N65X2M, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 550mΩ maksimum on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 32W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. ±30V maksimum gate gerilimi, 12nC gate charge ve 800pF input kapasitansı teknik özellikleri arasındadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok