Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP60N10T

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP60N10T

IXTP60N10T Hakkında

IXTP60N10T, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 60A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama ve yönetim görevleri için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 18mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±30V gate gerilimi aralığında güvenli şekilde çalışır ve 49nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok