Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP3N110

MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP3N110

IXTP3N110 Hakkında

IXTP3N110, Littelfuse tarafından üretilen 1100V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3A sürekli dren akımı kapasitesine ve 4Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde çalışan transistör, -55°C ile +150°C arasında sıcaklık aralığında kullanılabilir. 150W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate gerilimi, 42nC gate yükü ve 1350pF giriş kapasitansi özellikleriyle yüksek voltaj uygulamalarında, switching power supply'ler, UPS sistemleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımında kolay entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok