Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP2R4N50P

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP2R4N50P

IXTP2R4N50P Hakkında

IXTP2R4N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj aralığında 2.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paket türünde sunulmaktadır. 3.75Ω (10V gate voltajında, 500mA drenaj akımında) on-state direnç değeri ile sahip olduğu bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 55W maksimum güç disipasyonuna sahip olan cihaz, 6.1nC gate yükü ve 240pF input kapasitanseye sahiptir. ±30V maksimum gate-source voltajı ile çeşitli kontrol devrelerinde uygulanabilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok