Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTP2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P Hakkında
IXTP2R4N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 2.4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve endüstriyel anahtar uygulamalarında yer almaktadır. 7.5Ω (max) on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Gate threshold gerilimi 4.5V @ 250µA olarak belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1207 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok