Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP2N100P

MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP2N100P

IXTP2N100P Hakkında

IXTP2N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source voltaj kapasitesi ve 2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan güç transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol uygulamaları ve high-voltage DC-DC konvertörlerde yaygın olarak yer alır. 7.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 86W'a kadar güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 655 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok