Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP1R6N50D2

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2 Hakkında

IXTP1R6N50D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun olan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 2.3Ω (800mA, 0V'de) RDS(on) değeri ve 100W maksimum güç tüketimi özelliklerine sahiptir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 645 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok