Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTP1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTP1R4N60P
IXTP1R4N60P Hakkında
IXTP1R4N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 9Ohm RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 5.2nC ve input capacitance 140pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. ±30V maximum gate-source gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok