Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTP1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTP1R4N120P
IXTP1R4N120P Hakkında
IXTP1R4N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 13Ω maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama işlemlerini gerçekleştirir. Gate charge değeri 24.8nC olup, hızlı komütasyon özellikleri sayesinde güç dönüştürme devreleri, inverterler, motor kontrol uygulamaları ve switch-mode güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve 86W maksimum güç tüketimi ile uzun süreli ve güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok