Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP1N80P

MOSFET N-CH 800V 1A TO220AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP1N80P

IXTP1N80P Hakkında

IXTP1N80P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında çalışması için tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 14Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 9nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında maksimum 42W güç tüketebilir. ±20V maksimum Vgs değeri ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok