Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTP1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTP1N120P
IXTP1N120P Hakkında
IXTP1N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama ve sürücü devrelerinde yer alır. 10V gate sürme voltajında 20Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 63W güç dağıtabilir. Gate threshold voltajı 4.5V olup, yüksek frekanslı uygulamalar için 17.6nC gate charge ve 550pF input capacitance değerleriyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok