Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTP1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTP1N100P
IXTP1N100P Hakkında
IXTP1N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltaj ve 1A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltaj ile 15Ohm RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 50W güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok