Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTP08N100P

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IXTP08N100P

IXTP08N100P Hakkında

IXTP08N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltaj (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 800mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulur. 20Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını kontrol eder. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilir ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar. Güç kaynakları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri (11.3nC) hızlı anahtarlamaya imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok