Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTP02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTP02N120P
IXTP02N120P Hakkında
IXTP02N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj dönüştürücülerde yer alır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, 75Ω maksimum on-direnci ile düşük kayıplarla işlem gerçekleştirir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. 33W maksimum güç tüketimi ve 4.7nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama operasyonları için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 104 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok