Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTN32P60P

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXTN32P60P

IXTN32P60P Hakkında

IXTN32P60P, Littelfuse tarafından üretilen 600V / 32A kapasiteli P-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri yerine getirir. 350mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim direnci sağlar. Maksimum 890W güç dağıtabilme kapasitesi, endüstriyel şarj devreleri, güç yönetim sistemleri, UPS ve invertör uygulamalarında kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ~ +150°C çalışma sıcaklığı aralığı geniş kullanım koşullarını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11100 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok