Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTN200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
IXTN200N10T

IXTN200N10T Hakkında

IXTN200N10T, Littelfuse tarafından üretilen 100V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. 200A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ on-dirençli (Rds On) tasarım, düşük enerji kaybı sağlar. SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri, motor kontrolü, hız kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 550W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında maksimum 152nC gate yükü ve 4.5V gate eşik voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok