Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTI12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO262
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTI12N50P
IXTI12N50P Hakkında
IXTI12N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrolü sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 500mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimliliğin ön planda olduğu tasarımlara uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 200W güç dağıtabilir. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 (I2PAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok