Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTI10N60P
IXTI10N60P Hakkında
IXTI10N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi için tasarlanmıştır. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 10A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerde kullanılmaktadır. 740mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-262 (I²Pak) Through Hole paketlemesi ile PCB'ye montajı kolaydır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 32nC gate charge ve 1610pF input capacitance değerlerine sahiptir. Özellikle yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamaları gerektiren sistemlerde etkili kontrol ve koruma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 740mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 (I2PAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok