Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH6N120

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH6N120

IXTH6N120 Hakkında

IXTH6N120, Littelfuse tarafından üretilen 1200V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6A sürekli drenaj akımı ve 2.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 300W güç dağıtma kapasitesine sahip olan IXTH6N120, endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama kaynakları ve yüksek voltaj motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 56nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok