Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH4N150

MOSFET N-CH 1500V 4A TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH4N150

IXTH4N150 Hakkında

IXTH4N150, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1500V drain-source voltaj kapasitesi ve 4A sürekli drain akımı ile güç elektroniklerinde kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 280W maksimum güç dissipasyonu ve 6Ω maksimum RDS(on) değerleri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. TO-247-3 paketinde üretilen bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Uygulamalar arasında güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri bulunur. ±30V maksimum gate-source voltajı ve 44.5nC gate charge karakteristiği ile kontrollü anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1576 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok