Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH3N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 3A TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH3N200P3

IXTH3N200P3HV Hakkında

IXTH3N200P3HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 2000V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile tasarlanmış olup, 8Ohm maksimum on-direnci (10V sürülüş voltajında) ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışma sağlar. TO-247-3 paketlemesi sayesinde yüksek ısı dağılımı gerektiren uygulamalara uygundur. Endüstriyel anahtarlama kaynakları, güç dönüştürücüler, yüksek voltaj motor kontrolü ve benzer yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında ve 520W maksimum güç tüketimi kapasitesinde çalışabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş sürülüş koşullarını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok