Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTH3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTH3N100P
IXTH3N100P Hakkında
IXTH3N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source voltaj derecelendirmesine ve 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 10V gate sürüş voltajında 4.8Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve ters akım koruması devrelerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) ve 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok