Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTH2N150
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTH2N150
IXTH2N150 Hakkında
IXTH2N150, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 1500V drain-source voltaj kapasitesi ve 2A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, inverters, HVDC sistemleri ve indüktif yüklerin kontrolünde yer alır. 9.2Ω maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (28nC) ile verimliliktir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 170W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Through-hole montaj türü ile PCB tasarımında kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok