Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH26N60P

IXTH26N60P Hakkında

IXTH26N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 26A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 270mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 72nC gate charge ve 4150pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direk entegrasyon mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok