Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTH1N200P3
IXTH1N200P3HV Hakkında
IXTH1N200P3HV, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 2000V drain-source gerilim derecelendirmesi ile güç dönüştürme, anahtarlama ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247HV paket tipi ile termik yönetim ve PCB entegrasyonu kolaylık sağlar. 1A sürekli dren akımı ve 40Ω maksimum RDS(on) değeri ile hassas kontrol ve düşük güç kaybı gerekli uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, tıbbi cihazlar ve elektrik koruması sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 125W güç dağılım kapasitesi ile uygun ısı yönetimi sağlandığında uzun ömürlü çalışma garantisi sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok