Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTH1N200P3
IXTH1N200P3 Hakkında
IXTH1N200P3, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 2000V drain-source voltajı ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, enerji yönetim sistemlerinde ve industrial kontrol uygulamalarında kullanılır. 40Ω maksimum on-direnci (10V, 500mA'de), 23.5nC gate charge ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunmaktadır. Attraverso-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegrasyonu sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok