Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH1N170DHV

MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3 Variant
Seri / Aile Numarası
IXTH1N170

IXTH1N170DHV Hakkında

IXTH1N170DHV, Littelfuse tarafından üretilen 1700V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. Depletion Mode yapısında tasarlanan bu bileşen, 1A sürekli dren akımında çalışabilir ve maksimum 290W güç dağıtımına sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 16Ohm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışan bu komponentin Gate Charge değeri 47nC olup, hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel güç kontrol, inverter ve DC-DC konverter devrelerine uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3 Variant
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
Supplier Device Package TO-247HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok