Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH12N90

MOSFET N-CH 900V 12A TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH12N90

IXTH12N90 Hakkında

IXTH12N90, Littelfuse tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlemi gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. Maksimum 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 300W güç tüketebilmektedir. Rds(on) değeri 900mΩ (6A, 10V'ta) olarak belirtilmiştir. Gate yükü 170nC (@10V) ile kontrol karakteristikleri iyidir. İnverterler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve aktif durumda tedarik edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok