Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH12N100

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH12N

IXTH12N100 Hakkında

IXTH12N100, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 12A kontinü drain akımı ve 1.05Ω maksimum RDS(on) değerleri ile verimli enerji yönetimi sağlar. Gate charge 170nC, Vgs(th) 4.5V olup ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimini destekler. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel güç dönüştürücüler, şarj devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. Verim kazancı gerektiren uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok