Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 Hakkında
IXTH10N100D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilim (Vdss) ve 10A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 200nC (5V'de) olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 695W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç kontrolü, inverter devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek gerilim anahtar uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5320 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 695W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok