Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH10N100D

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH10N100D

IXTH10N100D Hakkında

IXTH10N100D, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 1000V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.4Ω (10A, 10V koşullarında) düşük on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, motorlu uygulamalar, inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate-source voltaj kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı güvenilir performans sunar. 130nC gate charge ve 2500pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok