Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTH02N250

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTH02N250

IXTH02N250 Hakkında

IXTH02N250, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 2500V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 200mA sürekli drain akımı kapasitesi ve 450Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronikleri, inverter devreleri, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları ve elektrik trafolarında yer alan kontrol devrelerinde tercih edilir. TO-247-3 paketleme ile PCB montajı sağlanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 83W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate threshold voltajı 4.5V olup ±20V maksimum gate gerilimi dayanımı vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 116 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450Ohm @ 50mA, 10V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok