Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
ISOPLUSi5-Pak™
Seri / Aile Numarası
IXTF6N200P3

IXTF6N200P3 Hakkında

IXTF6N200P3, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 2000V drain-source voltajında 4A sürekli drenaj akımı sağlar. 10V gate voltajında 4.2Ω on-resistance değerine sahip olup, yüksek voltaj uygulamalarında geçiş kontrolü için tasarlanmıştır. ISOPLUSi5-Pak™ paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 215W maksimum güç tüketimine dayanır. 143nC gate charge ile kontrollü geçiş özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case ISOPLUSi5-Pak™
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok