Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTD4N80P
IXTD4N80P-3J Hakkında
IXTD4N80P-3J, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET die formundadır. 800V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 3.4Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate charge değeri 14.2nC ve input capacitance 750pF olarak belirlenmiştir. 10V drive voltage'da optimal performans gösterir. Endüstriyel güç dönüştürme, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanım alanı vardır. Die paket yapısı entegre edilen uygulamalara yönelik tasarlanmıştır. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok